贴片mos管怎么测量好坏？

一、贴片mos管怎么测量好坏？

贴片mos管测量好坏的方法

1、用测电阻法判别结型场效应管的电极：根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

2、用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

3、用感应信号输人法估测场效应管的放大能力。

4、用测电阻法判别无标志的场效应管

5、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

二、八角mos管怎么测量好坏？

用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。 　　另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。若触发有效（触发栅极G后，D、S极之间的正、反向电阻均变为0），则可确定该管性能良好。

三、整流桥怎么用万用表测量好坏？

整流桥由二极管组成，可以用万用表的二极管挡位进行测量。

整流桥内部结构如下图，整流桥两个脚之间对应一个二极管，用万用表一一测量即可，需要注意的是红表笔接二极管阳极，黑表笔接阴极。

四、如何判断MOS管的好坏？

mos管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，以下为N沟道和P沟道符号。

N沟道mos管符号

P沟道mos管符号

1、如何快速判断其好坏及引脚功能

1）用10K档，内有15伏电池。可提供导通电压。

2）因为栅极等效于电容，与任何脚不通，不论N管或P管都很容易找出栅极来，否则是坏管。

3）利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断，且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后，不必同步，方便。但要放电时需短路管脚或反充。

4）大都源漏间有反并二极管，应注意，及帮助判断。

5）大都封庄为字面对自已时，左栅中漏右源。

以上前三点必需掌握，后两点灵活运用，很快就能判管脚，分好坏。

如果对新拿到的不明MOS管，可以通过测定来判断脚极，只有准确判定脚的排列，才能正确使用。

2、管脚测定方法：

①栅极G的测定：用万用表R&TImes;100档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω），该两脚是D、S，第三脚为G。

②漏极D、源极S及类型判定：用万用表R&TImes;10kΩ档测D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2&TImes;10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：

a．若读数由原来较大值变为0（0&TImes;10kΩ），则红表笔所接为S，黑表笔为D。用黑表笔接触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。

b．若读数仍为较大值，黑表笔不动，改用红表笔接触G，碰一下之后立即回到原脚，此时若读数为0Ω，则黑表笔接的是S极、红表笔为D极，用红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道。

五、mos管ECG如何判断好坏？

mos管EcG好坏判断：

先用万用表R×10kΩ挡（内置有9V或15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极（D），正笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说明MOS管是好的。

六、复合mos管的好坏判断？

用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。

　　另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。若触发有效（触发栅极G后，D、S极之间的正、反向电阻均变为0），则可确定该管性能良好。

七、逆变器mos管怎么检测好坏？

逆变器MOS管的好坏可以通过以下几种方式进行检测：

1. 使用万用表进行检测：将万用表调整到二极管测试档位，将测试笔分别接触MOS管的源极和漏极，如果万用表显示正常，说明MOS管正常；如果显示为开路或短路，则说明MOS管损坏。

2. 使用示波器进行检测：将示波器的探头分别接触MOS管的源极和漏极，观察示波器的波形，如果波形正常，说明MOS管正常；如果波形不正常或没有波形，则说明MOS管损坏。

3. 使用热像仪进行检测：将热像仪对准MOS管，观察MOS管的温度分布情况，如果温度分布均匀，说明MOS管正常；如果温度分布不均匀或存在高温区域，则说明MOS管损坏。

总之，逆变器MOS管的好坏可以通过多种方式进行检测，但需要注意的是，在检测之前需要先断开电源，以免发生意外。

八、mos管的内阻怎么测量？

测量MOS管的内阻通常可以使用以下方法：

1. 静态法：在直流条件下测量MOS管的内阻。具体步骤如下：

a. 将MOS管正确安装在电路板上。

b. 断开MOS管的控制信号。

c. 使用多用表将MOS管的源极和漏极之间测量电压差（Vds）。

d. 使用多用表测量通过MOS管的漏极电流（Ids）。

e. 根据欧姆定律，通过计算Rds = Vds / Ids，得到MOS管的内阻。

2. 动态法：在交流条件下测量MOS管的内阻。具体步骤如下：

a. 将一个恒定幅度和频率的交流信号应用到MOS管的栅极。

b. 使用示波器观察MOS管源极和漏极之间产生的输出信号。

c. 测量输出信号幅度（Vout）和输入信号幅度（Vin）。

d. 通过计算Rds = (Vin - Vout) / Iout，其中Iout是输出信号经过负载电阻产生的电流，得到MOS管的内阻。

请注意，在进行测量时要确保仪器正确连接，并根据具体使用场景选择适合的方法。另外，不同型号的MOS管可能具有不同的内阻测量方法，建议参考相关数据手册或生产商提供的信息。

九、电脑显卡mos管怎么测量？

MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管因导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，价格便宜等优点在电子行业深受人们的喜爱与追捧。但是一些厂商的技术不成熟导致MOS管市场良莠不齐。那么如何对MOS管进行检测呢？华碧实验室为大家分享检测MOS管的5种方法。

一、用测电阻法判别MOS管的电极

根据MOS管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出MOS管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对MOS管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

二、用测电阻法判别MOS管的好坏

测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

三、用感应信号输人法估测MOS管的放大能力

具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住MOS管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差;表针摆动较大，表明管的放大能力大;若表针不动，说明管是坏的。

根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。

四、用测电阻法判别无标志的MOS管

首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。

五、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对MOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。

十、p沟mos管怎么判断好坏？

场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。 将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管有G、D、S，三个极，用机械表R*10K档测量。 场效应管具有如下特点： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。

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