MOS管发热的原因？

一、MOS管发热的原因？

首先，MOS管发热的原因是什么？

1、MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。

2、散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。针对如上MOS发热原因：解决思路就出来了，1、更换内阻较小的MOS管，或者选择散热效果好的MOS管封装形式。2、改善MOS管散热条件，增加散热片等。总结一句话，需要根据成本进行取舍采取哪种方法

二、MOS管发热分析的原因是什么？

　　MOS管发热的原因：　　

1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。　　

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。　　

3.电流太高，没有做好足够的散热设计，MOS管标称的电流值，一般需要较良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。　　

4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

三、车载逆变器空载MOS管发热？

建议查看一下MOS管的栅极驱动电压，假如电压低于12V它的导通电阻就会比较大，工作电压降落在漏极和源极之间的电压就会比较高，那么工作电流乘以这个电压就成为发热功率。

四、开关电源mos管击穿原因及解决？

1. 电路设计不合理：尤其是高频开关电源，如果电路设计不合理，如电容、电感、二极管等参数选择不当，容易使mos管击穿。

解决办法：重新设计电路，针对mos管的特性进行选择参数，力求让mos管工作在安全边界内。

2. 负载变化大：如果开关电源负载变化较大，如过载或短路，负载品质差，容易使mos管击穿。

解决办法：增加过载保护电路，合理选择负载，确保负载品质可靠。

3. 瞬态高压干扰：由于mos管在开关状态时会产生瞬态高压，如果不能及时去除，积累起来会使mos管击穿。

解决办法：增加反电动势保护电路，减小开关时间，控制开关频率，减小瞬态高压。

4. 温度过高：高温环境下mos管的绝缘击穿电压会降低，容易使mos管击穿。

解决办法：加装散热器，控制mos管工作温度。

5. 其他原因：如电源电压波动、灯泡启动等情况也会造成mos管击穿。

解决办法：加装稳压电路，避免电压波动；加装灯泡启动电路，消除电感电容回路的高压干扰。

五、mos管击穿原因？

MOS管被击穿的原因及解决方案如下：

第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。

第二、MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流（超过10mA）时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。

还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

六、mos管短路原因？

有可能是过流击穿烧毁 也会过压击穿，造成短路

七、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

八、显卡mos管烧坏原因？

MOS管损坏主要原因：

过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;

过压：源漏过压击穿、源栅极过压击穿;

静电：静电击穿，CMOS电路都怕静电。

第一种：雪崩破坏，如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同)，并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

第二种：器件发热损坏，由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

第三种：内置二极管破坏，在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。

第四种：由寄生振荡导致的破坏，此破坏方式在并联时尤其容易发生。在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。

第五种：栅极电涌、静电破坏，主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏。

九、mos管损坏的原因？

MOS管损坏主要原因：

过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;

过压：源漏过压击穿、源栅极过压击穿;

静电：静电击穿，CMOS电路都怕静电。

第一种：雪崩破坏，如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同)，并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

第二种：器件发热损坏，由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

第三种：内置二极管破坏，在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。

第四种：由寄生振荡导致的破坏，此破坏方式在并联时尤其容易发生。在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。

第五种：栅极电涌、静电破坏，主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏。

十、MOS管发热，除了换更大的MOS，还有什么办法？

MOS管发热严重的话说明产品设计有问题了

工作电流比较大的话，MOS管有轻微发热是正常的，如果发热过大就要对设计进行改善了，可以考虑更换功率更大的MOS管，更换内阻更小的MOS管，或者增加散热。

检查MOS管功率是否够

检测电路通过MOS的最大电流是否超过使用规格或者接近规格。我们在设计的时候要留有一定的余量，通过MOS的最大电流最好不要超过规格的1/2。比如电路的最大电流是2A，我们至少选择一个最大电流能去到4A或者以上的MOS管。如果选用的MOS管率不够，建议更换更大功率的MOS以提高产品的可靠性。

内阻超小发热超少

不同品牌的MOS或者不同型号的MOS管，它的导通内阻是不同的，我们可以考虑选择内阻更小的管子以降低发热。同一个MOS使用不同的Vgs，导通内阻也不一样，设计电路的时候要设置合理的Vgs，以降低MOS管的发热量

检查PCB的焊盘设计是否合理

使用大功率的MOS一定要注意焊盘的设计，合理的焊盘可以有效的把热量散走；需要的时候可以考虑加大MOS的散热面积或者增加PCB的铜厚。比如把PCB的铜厚由1盎司改为2盎司。增加PCB铜厚会增加成本，可以优先考虑在PCB上增加散热面积。

给MOS管增加散热器

给MOS装上散热器可以加速散热，在功率较大的应用场合，一般都需要给MOS安装散热器。在PCB焊盘散热不足的时候就必须给MOS装上散热器了。

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