电脑主板mos管都有波形吗？

一、电脑主板mos管都有波形吗？

都有波形

高低电平清晰，此时电平可以称为电平，因为它是平的。边缘陡峭，开关速度快，损耗小，冲击小，可以接受，管道不能进入线性区域，强迫症可适当调整栅极电阻。

二、MOS管驱动波形这样该怎么解决？

这个问题不太好解决，换一个内阻比较小的开关管应该会好一些。但如果成本压力比较大，可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管。应该也会好一点。

三、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

四、怎么检查开关电源MOS驱动脉冲波形？

可以测drain端的波形，内部驱动波形与drain端波形反相，驱动为高，drain为低，驱动为低，drain为高。

五、mos管开关电源电路原理？

你好，MOS管开关电源电路是一种电路，它使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为开关器件。MOS管开关电源电路的工作原理如下：

1. 输入电压：输入电压被施加到开关电路的控制端，即MOSFET的栅极上。

2. MOSFET开关：当输入电压高于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被打开，导通电流从源极流向漏极。

3. 电荷储存：当MOSFET被打开时，电荷被储存在MOSFET的栅极和源极之间的电容中。

4. 关闭MOSFET：当输入电压低于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被关闭，电荷从栅极电容中流回源极，MOSFET不再导通，电路中的电流停止流动。

5. 输出电压：当MOSFET被关闭时，电路中的电荷会被释放，产生一个反向电压，用于驱动负载。

总之，MOS管开关电源电路通过使用MOSFET作为开关器件，将输入电压转换为输出电压。它具有高效率、高速度、低功耗等优点，广泛应用于电源、电动机控制等领域。

六、10a开关电源mos管选择？

1、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。 2、漏极连续工作电流ID，例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A，一般单电压电源选择2A/10W比较安全； 3、漏极-源极阻抗RDS，阻抗越小温升越低，漏极电流越大，一般7N60的阻抗为1Ω，10N60的阻抗为0.7Ω。 4、工作频率即开关时间TD，一般MOS管的开关时间70 nS（纳秒）左右。 这几个条件满足了，基本没问题。

七、MOS管可以直接用电源驱动嘛？

　　MOS管分为N沟道与P沟道两种，N沟道用于电源负极的控制，P沟道用于电源正极的控制，两者直接的控制信号电压也存在区别。对于NMOS来讲，当栅极与源极的电压超过一定电压阈值的之后就会导通，PMOS与之相反。

　　NMOS与PMOS还有一点比较大的区别，NMOS的导通内阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性对较低，所以在功率较大的控制场合，一般会选用NMOS，当然也要根据控制电路的逻辑关系进行选择。

八、用IGBT能替换MOS电源管吗？

可以，IGBT是一种高速开关器件，具备低电阻和高电压容忍能力的优点，可以用于高电压、大电流的功率开关控制。

相比于MOS电源管，IGBT的开关速度较慢，但是具有更高的电压容限能力，可以承受更高的电压。

因此，在需要多大功率的场合下，如果MOS管性能不足以满足要求，可以考虑用IGBT替换。但是，IGBT的控制驱动电路较为复杂，需要对其开关特性进行精细的控制和调节，以充分发挥其性能优势。

所以需要在选择IGBT进行替换前，需要了解电路运行的情况，充分考虑IGBT的特性以及额定的电流、电压等参数。

九、示波器怎么测量mos驱动波形？

可以用示波器对mos管控制电压和阻挡电压进行测量，以观察mos驱动波形。具体地说，首先将示波器的探头连接到mos管的控制引脚，再将另一端接地，以获取控制电压波形。接着将示波器的另一探头连接到mos管的源极，以获取阻挡电压波形。通过对这两个波形的观察，可以分析mos驱动电路的稳定性、响应速度等关键指标。同时，在实际测试中还需注意驱动电路的设定和校准，以确保测量结果的准确性。例如可以通过改变控制电压、增大负载电流等方式，观察mos驱动波形的变化情况，以验证测量结果的可靠性。

十、UPS电源里边需要什么MOS管？

看多大功率的UPS,大功率逆变部分都用IGBT模块 小功率650VA，一般用38N30等等

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