mos管工作的三个区域?

111 2024-08-11 00:03

一、mos管工作的三个区域?

当 Vgs < Vth 时,截止区。

当 Vgs > Vth 且 Vds < Vgs - Vth 时,变阻区。

当 Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth 时,饱和区(恒流区)。

其中 Vth 是 MOS管 的一个重要参数——开启电压。

当MOS管 工作在变阻区内时,其沟道是“畅通”的,相当于一个导体。在 Vds Vds < Vgs - Vth时近似满足V-I的线性关系,即有一个近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制,故称变阻区域。

MOS管 工作在饱和区(恒流区)与 BJT 的饱和区不同,称 MOS管此区为饱和区,主要表示 Vds 增加 Id 却几乎不再增加——也即电流饱和。其实在此饱和区内,MOS管 和 BJT 都处于受控恒流状态,故也称其为恒流区。

二、开关电源烧mos原因?

1、电源工作不稳定,温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用,导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值,MOS损坏;

2、MOS漏源之间电压过高,MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近,导致MOS晶圆的高压环损坏;

3、由于老化温度过高,导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围,导致流过MOS的峰值电流超出额定值,MOS损坏

三、开关电源mos管损坏?

1、电源工作不稳定,温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用,导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值,MOS损坏;

2、MOS漏源之间电压过高,MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近,导致MOS晶圆的高压环损坏;

3、由于老化温度过高,导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围,导致流过MOS的峰值电流超出额定值,MOS损坏;

四、mos工作原理?

mos管是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。

五、mos管开关电源电路原理?

你好,MOS管开关电源电路是一种电路,它使用MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)作为开关器件。MOS管开关电源电路的工作原理如下:

1. 输入电压:输入电压被施加到开关电路的控制端,即MOSFET的栅极上。

2. MOSFET开关:当输入电压高于MOSFET的门阈电压时,MOSFET会被打开,导通电流从源极流向漏极。

3. 电荷储存:当MOSFET被打开时,电荷被储存在MOSFET的栅极和源极之间的电容中。

4. 关闭MOSFET:当输入电压低于MOSFET的门阈电压时,MOSFET会被关闭,电荷从栅极电容中流回源极,MOSFET不再导通,电路中的电流停止流动。

5. 输出电压:当MOSFET被关闭时,电路中的电荷会被释放,产生一个反向电压,用于驱动负载。

总之,MOS管开关电源电路通过使用MOSFET作为开关器件,将输入电压转换为输出电压。它具有高效率、高速度、低功耗等优点,广泛应用于电源、电动机控制等领域。

六、10a开关电源mos管选择?

1、漏极-源极耐压Vdss,一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值,D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。 2、漏极连续工作电流ID,例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A,一般单电压电源选择2A/10W比较安全; 3、漏极-源极阻抗RDS,阻抗越小温升越低,漏极电流越大,一般7N60的阻抗为1Ω,10N60的阻抗为0.7Ω。 4、工作频率即开关时间TD,一般MOS管的开关时间70 nS(纳秒)左右。 这几个条件满足了,基本没问题。

七、低压mos工作原理?

MOS管的工作原理

MOS管工作原理用一句话说,就是"漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID".更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。

八、开关电源mos管开机瞬间烧了?

1、电源工作不稳定,温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用,导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值,MOS损坏;

2、MOS漏源之间电压过高,MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近,导致MOS晶圆的高压环损坏;

3、由于老化温度过高,导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围,导致流过MOS的峰值电流超出额定值,MOS损坏

九、明纬开关电源烧mos原因?

1、电源工作不稳定,温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用,导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值,MOS损坏;

2、MOS漏源之间电压过高,MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近,导致MOS晶圆的高压环损坏;

3、由于老化温度过高,导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围,导致流过MOS的峰值电流超出额定值,MOS损坏

十、开关电源mos电压多少是正常?

逻辑级MOS管开启电压大概1.6-2V,比较适合电路使用。

开关模式电源(简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。

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