什么是源极和漏极？

一、什么是源极和漏极？

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。

二、源极漏极的区别？

1、电流流向不同。

把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。

2、作用不同。

电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。

3、对应电位不同。

但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬衬底接低电位，N衬底接高电位。

三、源极，栅极，漏极是什么？

场效应管MOSFET栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。三个名字是从英文而来的。

四、栅极源极漏极怎么区分？

1.栅极是场效应晶体管的一个重要部分，它可以通过改变其电压来控制器件的导通与截止。在N型场效应晶体管中，栅极与源极之间存在一条类似二极管的结构，称为P-N结，而漏极则与源极相连。可以通过使用万用表或者示波器测量PN结的正负极性来确定栅极的位置。

2.源极是场效应晶体管的另一个关键组成部分，它是器件输入信号的引脚。当栅极电压大于射极电压时，管子进入放大状态。可以通过在PN结处测量电位，或者增加栅极电压时源极电流的变化来确定源极的位置。

3.漏极是场效应晶体管的输出端口，器件的输出信号将从这个引脚被输入到外部电路中。当栅极电压足够高时，它会克服PN结的阻挡作用使得电子可以向漏极运动，形成导电通道并输出放大后的信号。可以通过使用万用表或示波器来测量PN结上的电位来确定漏极的位置

五、mos管漏极跟源极相通？

MOS管是电压驱动，mos管的源极和漏极可以互换，它们在器件构造上是对称的。具体内部结构查看模电书。

n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。

六、mos管源极和漏极电压？

一、指代不同

1、源极：简称场效应管。仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。

二、原理不同

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示)，就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

MOS管的定义：我们都在知道场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，其用P+表示，形成两个P+N结。

七、mos管漏极和源极区别？

1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。  

二、原理不同

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

八、源极和漏极输出的区别？

源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。

九、共源极和共漏极怎么区分？

一丶指代不同

1、共源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、共漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。  

　　二、原理不同

　　1、共源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。

　　2、共漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

十、变频器源极与漏极接法？

在变频器中，源极和漏极是与功率开关器件（通常是功率晶体管或功率MOSFET）相关的术语。

1. 源极接法：在源极接法中，负载被连接到功率开关器件的源极。这种接法被广泛应用于N沟道MOSFET（NMOS）和NPN型晶体管，其中负载与地或共端地连接在一起。当控制信号施加到开关器件的栅极或基极上时，源极上的输出电压将控制开关器件的导通和截止。

2. 漏极接法：在漏极接法中，负载被连接到功率开关器件的漏极。这种接法通常与P沟道MOSFET（PMOS）和PNP型晶体管一起使用。与源极接法类似，当控制信号施加到开关器件的栅极或基极上时，漏极上的输出电压将控制开关器件的导通和截止。

选择源极接法或漏极接法主要取决于所使用的功率开关器件的类型和电路设计要求。它们在不同的电路配置和应用中可能有不同的优势和适用性。在实际应用中，正确的接法应该根据具体的电路设计和元件规格进行选择。

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