mos管被击穿是电源问题吗？

一、mos管被击穿是电源问题吗？

不是电源问题，mos管被击穿的原因如下：大电流，如严重过流短路损坏，纯粹的过流损坏会在源极的打线区域产生大量的热量，会在压线部位周围烧黑一大片。

二、mos管击穿原因？

MOS管被击穿的原因及解决方案如下：

第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。

第二、MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流（超过10mA）时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。

还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

三、开关电源mos管击穿原因及解决？

1. 电路设计不合理：尤其是高频开关电源，如果电路设计不合理，如电容、电感、二极管等参数选择不当，容易使mos管击穿。

解决办法：重新设计电路，针对mos管的特性进行选择参数，力求让mos管工作在安全边界内。

2. 负载变化大：如果开关电源负载变化较大，如过载或短路，负载品质差，容易使mos管击穿。

解决办法：增加过载保护电路，合理选择负载，确保负载品质可靠。

3. 瞬态高压干扰：由于mos管在开关状态时会产生瞬态高压，如果不能及时去除，积累起来会使mos管击穿。

解决办法：增加反电动势保护电路，减小开关时间，控制开关频率，减小瞬态高压。

4. 温度过高：高温环境下mos管的绝缘击穿电压会降低，容易使mos管击穿。

解决办法：加装散热器，控制mos管工作温度。

5. 其他原因：如电源电压波动、灯泡启动等情况也会造成mos管击穿。

解决办法：加装稳压电路，避免电压波动；加装灯泡启动电路，消除电感电容回路的高压干扰。

四、mos管雪崩击穿原理？

当MOSFET漏极存在大电流Id，高电压Vd时，器件内电离作用加剧，出现大量的空穴电流，经Rb流入源极，导致寄生三极管基极电势Vb升高，出现所谓的“快回(Snap-back)”现象，即在Vb升高到一定程度时，寄生三极管V2导通，集电极（即漏极）电压快速返回达到晶体管基极开路时的击穿电压（增益很高的晶体管中该值相对较低），从而发生雪崩击穿。

五、mos管击穿问题分析？

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。

静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。

六、mos管ds击穿什么现象？

1、如果没有限流措施,击穿后管子将烧毁,甚至会砰一声炸裂。

2、MOS管被击穿的原因及解决方案如下：

MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

3、组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。

七、buck电路mos管击穿后果？

buck电路mos管若击穿，后果很严重。输入侧电源高压直接加在输出侧。

buck电路是降压电路。mos管是输入电压与输出电压分界点，其击穿意味着是导通状态，输入电压直接加在输出侧，威胁用电器，导致电器直接烧毁。

buck电路的mos管在设计选型时，其参数余量应选2倍以上，确保电路安全。

八、mos管怎么提高击穿电压？

mos(金属氧化物半导体)晶体管的击穿电压(breakdownvoltage)是指在栅极接地的情况下，流过漏源极电流为一个特定值时的漏源电压，其是mos晶体管击穿前能连续加在漏源极的最高瞬间的电压值。击穿电压是衡量mos晶体管耐压程度的关键参数，其越大代表mos晶体管的耐压性能越好。

对于工作在高压mos晶体管来说，击穿电压显得尤为重要。高压mos晶体管普遍用于嵌入式闪存(eflash)的电荷泵电路中，电路输出所需电压对存储单元进行擦写，而电路对器件击穿电压要求很高，随着工艺的不断开发，沟道宽度不断变窄，对击穿电压的要求愈发严格。目前增加mos晶体管击穿电压常用的方法是降低轻掺杂源漏区的掺杂浓度，而轻掺杂源漏区的掺杂浓度降低会影响驱动电流。

九、显卡mos管击穿怎么修？

mos管击穿后，检查周围器件如果没有损坏。更换同型号新管子即可。

十、pfc电路mos管击穿原因？

MOS管击穿的原因及解决方案MOS管被击穿的原因及解决方案如下：

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中.组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地.

第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ 在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。而129＃在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生.还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

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