mos管击穿问题分析？

一、mos管击穿问题分析？

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。

静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。

二、开关管击穿有几种原因？

主要有以下几个原因:

1、稳压控制回路有开路性故障。

2、尖峰吸收电路发生故障。

3、交流供电过高。

4、过压损坏。

5、内部损耗过大损坏。

6、整流桥损坏。

7、开关变压器损坏。

8、开关管与散热片之间绝缘不好。

9、开关管性能不良或者功率过小。

10、整流二极管损坏。

三、mos管击穿短路的原因分析？

mos管击穿短路原因分析如下：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

四、开关电源开关管击穿的原因？

主要有以下几个原因:

1、稳压控制回路有开路性故障。

2、尖峰吸收电路发生故障。

3、交流供电过高。

4、过压损坏。

5、内部损耗过大损坏。

6、整流桥损坏。

7、开关变压器损坏。

8、开关管与散热片之间绝缘不好。

9、开关管性能不良或者功率过小。

10、整流二极管损坏。

五、开关电源mos管击穿原因及解决？

1. 电路设计不合理：尤其是高频开关电源，如果电路设计不合理，如电容、电感、二极管等参数选择不当，容易使mos管击穿。

解决办法：重新设计电路，针对mos管的特性进行选择参数，力求让mos管工作在安全边界内。

2. 负载变化大：如果开关电源负载变化较大，如过载或短路，负载品质差，容易使mos管击穿。

解决办法：增加过载保护电路，合理选择负载，确保负载品质可靠。

3. 瞬态高压干扰：由于mos管在开关状态时会产生瞬态高压，如果不能及时去除，积累起来会使mos管击穿。

解决办法：增加反电动势保护电路，减小开关时间，控制开关频率，减小瞬态高压。

4. 温度过高：高温环境下mos管的绝缘击穿电压会降低，容易使mos管击穿。

解决办法：加装散热器，控制mos管工作温度。

5. 其他原因：如电源电压波动、灯泡启动等情况也会造成mos管击穿。

解决办法：加装稳压电路，避免电压波动；加装灯泡启动电路，消除电感电容回路的高压干扰。

六、开关电源场效应管击穿原因？

开关电源场效应管击穿的原因，尖峰吸收电路故障，漏源极过电压击穿；场效管过流发热造成损坏，栅极驱动电压过电压造成击穿。

开关电源场效管漏极一般接高频变压器线圈，当开关管关断时，线圈产生过电压被尖峰吸收电路吸收，保护管子不被击穿；当电源超负荷运行，场效应管子过电流发热，以及栅源电压过电压也会导致击穿损坏。

七、二极管如何导电？什么是雪崩击穿和齐纳击穿？

当外电场电子来到pn结的时候，自由电子因为内电场的电场力，能够顺利来到p区导电吗？

外电场电子这个说法有点指代不明。如果是指N区的电子，那么可以说明电子是可以跨过耗尽区进入P区导电的，虽然电子在耗尽区逆电场运动，但是别忘了电子还会扩散运动，P区电子实在是太少了以至于电子可以跨越这层耗尽区的电场，知道平衡。

即使来到了p区，它不会和p区的空穴结合吗？

电子当然会和P区空穴结合，事实上电子在这里的运动是边扩散边复合的向前运动，在计算PN结电流的时候分析这部分的电子浓度是重中之重！！

那么它又是如何削弱电场的呢？

在分析PN结的时候我们会用到一个叫做“耗尽区近似”的模型，在这个模型下外加电场是完完全全加在耗尽区的，又因为正偏时候外加电场是和内建场相反的，所以外加电场会削弱内建场让更多的电子穿过耗尽区。

那么外电场的自由电子来到p区之后不会和p区的空穴结合吗？电子能够顺利的到耗尽层吗？

电子难道不是先经过耗尽区才进入的P区吗？在耗尽区有大量共价键束缚着的电子，如果把这些电子撞出来，就会生成一对电子空穴对，然后这对电子和空穴会快速的被内建电场分别向两边拉，当然当速度过快的时候，就会发生雪崩效应。

齐纳击穿耗尽层窄，掺杂浓度高，它又是一个怎样的击穿过程？

齐纳击穿是比较难以理解，我配下面的一幅图来帮助理解。这种击穿是因为量子力学里面的隧穿效应导致的。简单理解就是两条线太近了，就直接穿过去了，此时势垒失去了阻挡电子的作用，发生了击穿。

问题提的很棒。加油，继续学习！

八、mos管击穿原因？

MOS管被击穿的原因及解决方案如下：

第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。

第二、MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流（超过10mA）时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。

还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

九、电视机开关管软击穿会出现什么症状？

根据经验，软击穿只会存在于工作在低电压小电流或电压高但电流小的管子上。电视机的电源开关管工作在高反压大电流的状态，一旦击穿就会瞬间报废，要么直接短路烧掉保险，要么管芯炸裂开路。一直没有遇到过电源开关管软击穿的故障，如果您有何发现，愿意学习。

十、开关远控二极管击穿的原因？

二极管被击穿应该是二极管选用不合适，容量过小造成的。

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