显卡mos管烧坏原因？

一、显卡mos管烧坏原因？

MOS管损坏主要原因：

过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;

过压：源漏过压击穿、源栅极过压击穿;

静电：静电击穿，CMOS电路都怕静电。

第一种：雪崩破坏，如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同)，并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

第二种：器件发热损坏，由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

第三种：内置二极管破坏，在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。

第四种：由寄生振荡导致的破坏，此破坏方式在并联时尤其容易发生。在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。

第五种：栅极电涌、静电破坏，主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏。

二、电脑mos管烧坏的原因？

 因为电流太大，MOS管和电感因为有很小的阻抗，也会发热，如果热量不能迅速的释放，那么很有可能会因热量堆积，温度上升，导致MOS管热击穿，最终损坏

一般主板上的CPU供电部分的MOS管工作在开关状态，出现发热烧毁，说明其管子压降过大，这就有可能该管的驱动信号不足，无法使其工作在开关状态，导致管子功耗增大而烧毁。

三、开关电源mos管击穿原因及解决？

1. 电路设计不合理：尤其是高频开关电源，如果电路设计不合理，如电容、电感、二极管等参数选择不当，容易使mos管击穿。

解决办法：重新设计电路，针对mos管的特性进行选择参数，力求让mos管工作在安全边界内。

2. 负载变化大：如果开关电源负载变化较大，如过载或短路，负载品质差，容易使mos管击穿。

解决办法：增加过载保护电路，合理选择负载，确保负载品质可靠。

3. 瞬态高压干扰：由于mos管在开关状态时会产生瞬态高压，如果不能及时去除，积累起来会使mos管击穿。

解决办法：增加反电动势保护电路，减小开关时间，控制开关频率，减小瞬态高压。

4. 温度过高：高温环境下mos管的绝缘击穿电压会降低，容易使mos管击穿。

解决办法：加装散热器，控制mos管工作温度。

5. 其他原因：如电源电压波动、灯泡启动等情况也会造成mos管击穿。

解决办法：加装稳压电路，避免电压波动；加装灯泡启动电路，消除电感电容回路的高压干扰。

四、mos管里面二极管烧坏会导致什么情况?

在做电源设计或者驱动电路的时候，难免要用到场效应管，也就是我们常说的MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用，在作为电源或者驱动使用的情况下，发挥的当然是用它的开关作用。但在半导体电子应用过程中，MOS管经常会出现发烫严重的现象，那么是什么原因导致MOS管发烫呢？

　　在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1 MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。

我们经常看MOS管的ＰＤＦ参数，MOS管制造商采用RDS（ON）参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS（ON）也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS（ON）与栅极（或驱动）电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS（ON）是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管才很容易发烫。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS（ON）的增加。

MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。因此发烫的情况主要分为一下几种：

1.电路设计的问题 就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发烫的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，损耗就意味着发烫。这是设计电路的最忌讳的错误。

　　2.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发烫严重，需要足够的辅助散热片。

3.频率太高 主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热的值也加大了。

4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

　　这是关于MOS管发烫问题的简单总结。也是做开关电源或者MOS管开关驱动的工作者需要烂熟于心的知识。

五、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

六、开关电源烧mos原因？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏

七、mos管开关电源电路原理？

你好，MOS管开关电源电路是一种电路，它使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为开关器件。MOS管开关电源电路的工作原理如下：

1. 输入电压：输入电压被施加到开关电路的控制端，即MOSFET的栅极上。

2. MOSFET开关：当输入电压高于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被打开，导通电流从源极流向漏极。

3. 电荷储存：当MOSFET被打开时，电荷被储存在MOSFET的栅极和源极之间的电容中。

4. 关闭MOSFET：当输入电压低于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被关闭，电荷从栅极电容中流回源极，MOSFET不再导通，电路中的电流停止流动。

5. 输出电压：当MOSFET被关闭时，电路中的电荷会被释放，产生一个反向电压，用于驱动负载。

总之，MOS管开关电源电路通过使用MOSFET作为开关器件，将输入电压转换为输出电压。它具有高效率、高速度、低功耗等优点，广泛应用于电源、电动机控制等领域。

八、开关电源三极管烧坏原因？

1) 由于三极管的工作电流受温度的影响很大，因此当三极管工作时，耗散功率转化为热，使集电结结温升高，集电结结电流进一步加大，会造成恶性循环使三极管烧毁。这种情况叫热击穿。使三极管不发生热击穿的最高工作温度定义为最高结温。

　　2) 当三极管未达到最高结温时，或者未超过最大耗散功率时，由于材料的缺陷和工艺的不均匀性，以及结构原因造成的发射区电流加紧效应，使得三极管的工作电流分布不均匀。当电流分布集中在某一点时，该点的功耗增加，引起局部温度增高，温度的增高反过来又使得该处的电流进一步增大，从而形成“过热点”，其温度若超过金属电极与半导体的共熔点，造成三极管烧毁。另一方面，局部的温升和大电流密度会引起局部的雪崩(击穿)，此时的局部大电流能使三极管烧通，使击穿电压急剧降低，电流上升，最后导致三极管烧毁。这种情况就是所谓的二次击穿。

九、mos管击穿原因？

MOS管被击穿的原因及解决方案如下：

第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。

第二、MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流（超过10mA）时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。

还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

十、mos管短路原因？

有可能是过流击穿烧毁 也会过压击穿，造成短路

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