一、休息平台宽度与踏步宽度关系?
楼梯的中间平台宽度应不小于梯段宽度,应大于或等于 1.20m,以保证畅通。 采用扇形梯段时,离踏步窄端扶手水平距离 0.25m 处踏步宽度不应小于0.15,宽端扶手处不应大于0.50m,休息平台窄端应不小于1.8 - 2.4米。 平台宽度分为中间平台宽度D1和平台宽度D2,对于平行和折行多跑等类型楼梯,其中间平台宽度应不小于梯段宽度,以保证通行顺畅,并不得小于1 200mm。对于直行多跑楼梯,其中间平台宽度宜不小于梯段宽度,且不小于1 000mm。 医院建筑还应保证担架在平台处能转向通行,其中间平台宽度D1应不小于2 000mm。对于楼层平台宽度,则应比中间平台更宽松一些,以利于人流分配和停留。 在楼层平台上,梯段起步与门洞或墙面的转角处要有一定的缓冲距离,防止上下的行人发生碰撞。一般情况下为两个踏步的宽度,当楼梯间进深较小时,至少为一个踏步的宽度。
二、pcb走线宽度与10a电流的关系?
按照经验,一般1A的电流需要走1mm的宽度,10A就得走10mm宽,如果PCB空间足够,当然可以这么走,某些情况下而且大电流走线越粗越好。但是在多层PCB中,空间有限的情况下,10mm可能根本就走不下去。
三、电源线与电流之间的对应关系?
电线越长影响的是电压,进入导线的电流与到达终点的电流大小不变。如果绝缘材料欠佳,从电线上漏掉的是电流,到达终点的电流会变小。
通常说的是电压, 比如在5V电源上接一个1.5米22#线。 可以用万用表测量这个线的阻抗,这个线的阻抗大概是0.2欧。如果给手机充电,充电电流1A的情况下,那么线的压降就是0.2欧*1A=0.2V。意思就是手机端的实际电压只有5V-0.2=4.8V电压。
电磁线是通电后产生磁场或在磁场中感应产生电流的绝缘导线。它主要用于电动机和变压器绕圈以及其他有关电磁设备
四、光谱宽度与波长的关系?
光谱或光谱特性的波长范围的量度。
基于不同的光源类型,光谱宽度有几种不同的定义:
均方根谱宽(RMS)。均方根谱宽定义为:在标准工作条件下,光谱包络分布用高斯函数P(λ)来近似。
-3dB 谱宽(FWHM)。-3dB 谱宽定义为:在标准工作条件下,主纵模峰值波长的幅度下降一半处光谱线两点间的波长间隔,称之为FWHM 谱宽(或称-3dB 谱宽)。
-20dB 谱宽。-20dB 谱宽定义为:在标准工作条件下,主纵模峰值波长的幅度下降20dB 处光谱线两点间的波长间隔,称之为-20dB 谱宽。
五、切削宽度与切削深度关系?
切削深度t,当机床,工件,刀具刚度允许时,t等于加工余量,是提高生产率的有效措施。为了保证零件的加工精度和表面粗糙度,应留有一定的余量进行深加工。雅力士精机生产的的各类数控机床的加工余量可以略小于普通机床。切削宽度L,通常与刀具直径成正比.与切削深度成反比。
六、休息平台与楼梯宽度关系?
一般楼梯宽度是休息平台的一半。
七、怎么规划电源线的宽度?
一般电源线的宽度根据你的电流需要来定的,过得电流大就要宽一些。电源线理论上越宽越好,甚至有时候还需要大面积布电源线来去除干扰,信号线0.3mm就够用了,一般电源线1mm就可以过2A电流没问题
八、电源与电阻的关系?
一定范围内,电阻器的电阻与电压无关,就像经典力学内质量与力或加速度无关一样。但是对于相当多的情况,电压与电阻是有一定关系的,当电压增大时,电流增大,导致电阻上消耗的功率增大,同时产热增多,导致电阻发热,从而影响电阻的电阻率和外形,导致电阻阻值改变。
如:白炽灯灯丝在通电开始时电阻较小,随后温度快速升高,电阻增大,最后由于发热和散热基本平衡,电阻维持不变。
九、信号时域宽度与频谱的关系?
一般来说,信号时域宽度越大,说明信号时间越长,那么信号的频谱能量就会越大。
十、介电常数与禁带宽度关系?
一、介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,介质中的电场减小与原外加电场(真空中)的比值即为相对介电常数(relative permittivity或dielectric constant),又称诱电率,与频率相关。
介电常数是相对介电常数与真空中绝对介电常数乘积。如果有高介电常数的材料放在电场中,电场的强度会在电介质内有可观的下降。理想导体的相对介电常数为无穷大。
介电常数又叫介质常数,介电系数或电容率,它是表示绝缘能力特性的一个系数,以字母ε表示,单位为法/米 。
它是一个在电的位移和电场强度之间存在的比例常量。
二、禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev)),固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子或者空穴存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。
被束缚的电子要成为自由电子或者空穴,就必须获得足够能量从价带跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。
禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的键合性质等有关。


- 相关评论
- 我要评论
-