开关电源MOS管关断时产生的阻尼振荡如何降低？

一、开关电源MOS管关断时产生的阻尼振荡如何降低？

这个问题不太好解决，换一个内阻比较小的开关管应该会好一些。

但如果成本压力比较大，可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管。应该也会好一点。

二、怎样有效关断MOS管？

关断MOS管是MOS管使用中的大问题，远比导通麻烦。最好的关断方法是负电压关断，非常有效。

三、mos管关断是什么意思？

他是一个受控原件，他有三个引脚，其中两个就类似一个开关，然后还有一个脚是控制，就是用一个控制脚，来控制是否导通

四、mos管导通和关断时间？

答：mos管导的开关频率不是固定。

理论上可以达到几十MHz或以上，原来的模拟示波器输入端就用MOS管，这样输入阻抗高，有500MHz的。

常见的开关电源中，其工作频率一般情况下不超百kHz，大部分是几十kHz，这主要是对周边器件要求高。MOS管在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

五、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

六、mos管的开通与关断电阻？

mos管开通后阻值很小，欧姆极，甚至毫欧极，mos管关断后，电阻在几兆欧以上。

七、mos管开关电源电路原理？

你好，MOS管开关电源电路是一种电路，它使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为开关器件。MOS管开关电源电路的工作原理如下：

1. 输入电压：输入电压被施加到开关电路的控制端，即MOSFET的栅极上。

2. MOSFET开关：当输入电压高于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被打开，导通电流从源极流向漏极。

3. 电荷储存：当MOSFET被打开时，电荷被储存在MOSFET的栅极和源极之间的电容中。

4. 关闭MOSFET：当输入电压低于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被关闭，电荷从栅极电容中流回源极，MOSFET不再导通，电路中的电流停止流动。

5. 输出电压：当MOSFET被关闭时，电路中的电荷会被释放，产生一个反向电压，用于驱动负载。

总之，MOS管开关电源电路通过使用MOSFET作为开关器件，将输入电压转换为输出电压。它具有高效率、高速度、低功耗等优点，广泛应用于电源、电动机控制等领域。

八、mos管栅极反并二极管为了加速关断，为什么不需要加速开通呢？

英飞凌工程师解答：

通常，MOS管的驱动电路如下图所示。

Rgon的作用是调节开通速度，MOS管的开通速度要综合考虑开关损耗和电路振荡以及电磁兼容，小的Rgon可以减小开关损耗，但可能带来电路振荡和电磁兼容的问题，因此，这个值要折中考虑。二极管的引入是将开通驱动电阻和关断驱动电阻分开。这样做有几点考虑，首先，MOSFET的关断延迟时间通常比开通延迟时间长，因此可以选择更小的关断电阻Rgoff，使关断速度更快，减小损耗。其次，对于关断，如果采用相对大的Rgon作为驱动电阻，会存在寄生导通的风险。寄生导通的原理，如下图所示。

在MOSFET关断的过程中，高dVds/dt在寄生米勒电容Cgd中产生位移电流I。位移电流通过栅极电阻Rg产生一个加在MOSFET栅极的电压，如果这个电压过高，超过MOSFET的阈值电压，会导致MOSFET发生寄生导通。计算公式如下(假设Cgs阻抗远大于Rg)。

其中一种减小寄生导通的手段就是适当减小栅极电阻，即用二极管给关断匹配一个相对小的关断驱动电阻。

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九、如何减少mos管开通的，振荡波？

有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。

RCD电路参数设计网上都有，根据需要自己看吧。还有一个问题，开关频率越高，尖刺也就会越高，如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。另外，负载处除了主要的电解电容，一些钽电容试试。顺便说一下，光耦牵扯一个反逻辑的问题，不知道你注意了没有，如果没有在后面的驱动处最好做一下修正。

十、10a开关电源mos管选择？

1、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。 2、漏极连续工作电流ID，例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A，一般单电压电源选择2A/10W比较安全； 3、漏极-源极阻抗RDS，阻抗越小温升越低，漏极电流越大，一般7N60的阻抗为1Ω，10N60的阻抗为0.7Ω。 4、工作频率即开关时间TD，一般MOS管的开关时间70 nS（纳秒）左右。 这几个条件满足了，基本没问题。

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