电容可控硅(可控硅阻容吸收电路)

1. 可控硅阻容吸收电路

可控硅在变流技术上应用极为普遍。利用可控硅单向导电的特性，实现交流通断控制。 对主回路而言，这种控制方式是一种软通断方式，它可成功地解决触点打弧问题，同时也消除了噪音问题，几乎可以做到免维护。对于可控硅的选择无特殊要求，一般情况下，额定电流取电动机的额定电流的2～3倍，电压取800V以上即可。为了保护可控硅，可采用RC阻容吸收电路，并联在可控硅上，同时应注意可控硅的散热问题。但需注意，在检修时切记将主电源切断。

该控制方式，因没有采用移相控制技术，对电网基本上没有污染。如果采用移相控制技术，可实现设备的软启动，从而减少对设备和电网的冲击。

2. 可控硅阻容保护

阻容电路有吸收高次谐波和提高可控硅抗干扰能力；而压敏电阻在输出电压出现异常升高能保护可控硅。

这两种措施都是用来保护可控硅可靠工作而设的。

当阻容电路损坏后有可能不会马上体现出来，但却会让可控硅工作时可控性减低，如较难稳定的调节输出功率（特别是细微的调节）、输出不稳定等。

而压敏电阻损坏后一般保护电路会动作。要检测阻容电路是否损坏可万用表100欧档，用任一表笔接电容外端另一表笔接电阻外端，观察万用表的指针应能快速向右摆后慢慢回落，若指针无任何摆动或阻值为零即视为损坏。

而压敏电阻若没损坏的话其阻值是趋于无穷大的，若阻值为零即为损坏。

3. 可控硅阻容吸收电路计算

调压模块采用大规模集成电路设计，内部集三相移相触发电路、单向可控硅、RC阻容吸收回路及电源电路等于一体。可在自动或手动输入控制作用下，产生三相可改变导通角的强触发脉冲信号，再以此分别控制内部可控硅，实现三相负载电压从0 V到电网全电压的无级可调，从而调节输出给三相负载电功率。

调压模块直接带动变压器等感性负载或电加热等阻性负载，可适用于小功率三相力矩电机的调速，及风机、水泵等的调速，也可应用于交流电机的缓启动。

4. 可控硅阻容吸收电路图

那只是在带的是电感负载时用的。用以吸收在关断可控硅那一瞬间电感所产生的的反峰电感电动势用的。

5. 可控硅保护电容电阻选择

为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

因为电路总是存在电感的变压器漏感或负载电感，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。

同时，避免电容器通过可控硅放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅。

由于可控硅过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC

阻容吸收网络就是常用的保护方法之一

6. 可控硅并联阻容吸收电阻发热

RC 回路中的R8电阻1/8W足够了另外R6电阻的功率根据双向可控硅IGT1和IGT3的大小来计算，一般1/4W也足够了

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