mos管为什么是原极接地？

一、mos管为什么是原极接地？

　　mos管其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。所以源极要接地才能具备工作条件。

二、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

三、mos管开关电源电路原理？

你好，MOS管开关电源电路是一种电路，它使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为开关器件。MOS管开关电源电路的工作原理如下：

1. 输入电压：输入电压被施加到开关电路的控制端，即MOSFET的栅极上。

2. MOSFET开关：当输入电压高于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被打开，导通电流从源极流向漏极。

3. 电荷储存：当MOSFET被打开时，电荷被储存在MOSFET的栅极和源极之间的电容中。

4. 关闭MOSFET：当输入电压低于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被关闭，电荷从栅极电容中流回源极，MOSFET不再导通，电路中的电流停止流动。

5. 输出电压：当MOSFET被关闭时，电路中的电荷会被释放，产生一个反向电压，用于驱动负载。

总之，MOS管开关电源电路通过使用MOSFET作为开关器件，将输入电压转换为输出电压。它具有高效率、高速度、低功耗等优点，广泛应用于电源、电动机控制等领域。

四、mos管里面二极管烧坏会导致什么情况?

在做电源设计或者驱动电路的时候，难免要用到场效应管，也就是我们常说的MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用，在作为电源或者驱动使用的情况下，发挥的当然是用它的开关作用。但在半导体电子应用过程中，MOS管经常会出现发烫严重的现象，那么是什么原因导致MOS管发烫呢？

　　在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1 MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。

我们经常看MOS管的ＰＤＦ参数，MOS管制造商采用RDS（ON）参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS（ON）也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS（ON）与栅极（或驱动）电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS（ON）是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管才很容易发烫。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS（ON）的增加。

MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。因此发烫的情况主要分为一下几种：

1.电路设计的问题 就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发烫的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，损耗就意味着发烫。这是设计电路的最忌讳的错误。

　　2.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发烫严重，需要足够的辅助散热片。

3.频率太高 主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热的值也加大了。

4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

　　这是关于MOS管发烫问题的简单总结。也是做开关电源或者MOS管开关驱动的工作者需要烂熟于心的知识。

五、MOS管哪个极电流最大？

MOS管的最大漏极脉冲电流

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。

该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。

脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。

六、mos管g极电阻选择？

MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小，但是因为寄生电容的存在，在MOS管打开或关闭的时候，因为要对电容进行充电，所有瞬间电流还是比较大的。特别是在开关电源中，MOS管频繁的开启和关闭，那么就要更要考虑这个带来的影响了。

MOS管的寄生电容有三个，Cgs，Cgd，Cds

一般在MOS管规格书中，一般会标下面三个参数：Ciss，Coss，Crss，他们与寄生电容的关系如下：

Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

七、mos管漏极跟源极相通？

MOS管是电压驱动，mos管的源极和漏极可以互换，它们在器件构造上是对称的。具体内部结构查看模电书。

n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。

八、mos管源极和漏极电压？

一、指代不同

1、源极：简称场效应管。仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。

二、原理不同

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示)，就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

MOS管的定义：我们都在知道场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，其用P+表示，形成两个P+N结。

九、mos管g极和s极阻值？

将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

MOS管的GS级有寄生电容，而且电容值还不小，所以通常情况下会在GS之间挂一个几K的电阻，平且在驱动线路中串如一个几欧姆或者更小的电阻，以防止驱动放生震荡。

十、mos管d极和s极电压？

mos管中，D表示漏极，S表示源极，Vds就代表漏源电压。

漏源电压：漏极和源极两端的电压。

　　栅源电压：栅极和源极两端的电压。

　　栅极（daoGate——G，也叫做门极），源极(Source——S)， 漏极（Drain——D）

　　将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器

　　栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D

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