nmos设计步骤？ nmos管的电路符号？

一、nmos设计步骤？

1. 衬底p-Si ρ=30~50Ω?cm 2. 初始氧化 SiO2 层厚度250 A 氧化后淀积Si3N4 Si3N4厚度1400 A 3. 光刻Ⅰ 场区光刻，刻掉场区的Si3N4 不去胶,阻挡离子注入 4. 场区注硼 250 A的SiO2防止隧道效应 注硼是为了提高场区的表面浓度，以提高场开启 5. 场区氧化，8500 A 氧化层是热生长形成的，此时硼将继续推进，Si3N4阻挡氧化。 由于Si:SiO2=0.44:1（体积比） 这种做法可以降低台阶高度，称为准等平面工艺 6. 去掉有源区的Si3N4和SiO2 Si3N4：用磷酸腐蚀 SiO2：用标准的光刻腐蚀液 7. 预栅氧 SiO2 层厚度250 A 为离子注入作准备 8. 调整阈电压注入（注硼） 目的：改变有源区表面的掺杂浓度，获得要求的阈电压 9. 去掉预栅氧 10. 栅氧化 SiO2 层厚度250 A 这一步需要单独做，必须生长高质量的氧化层 11. 淀积多晶硅， Poly-Si，3800 A 扩磷，使多晶硅成为n+型（n+-Poly-Si） 12. 光刻Ⅱ 刻多晶硅，不去胶 13. 离子注入 源漏区注砷（As）,热退火 选择As作源漏区，是因为同一温度下，As的扩散系数比磷小，横向扩散距离小 到这一步，MOSFET已经形成，只是未引出电极 14. 去胶，低温淀积SiO2 15. 光刻Ⅲ刻引线孔 16. 蒸铝 17.光刻Ⅳ刻电极 概括的说就是先场氧，后栅氧，再淀多晶si，最后有源区注入

二、nmos管的电路符号？

　简单判断：看箭头方向，向内的为NMOS，箭头向外的为PMOS。 　　该电路中场效应管有PMOS，也有NMOS。 　　（M1、M2、M5、MC1、MC2为PMOS； 　　M3、M4、MC3、MC4为NMOS）

三、nmos管哪个脚接地？

nmos管，有三个管脚，分别是栅极g，源极s，漏极d。当vgs有一定压差时导通，因此s脚接地，g脚保持高电压状态导通。

四、nmos管如何驱动led？

莫斯管接收单片机信号，通过控制输出电流大小，控制LED灯的亮度。电流大亮度高，电流小。亮度低

五、nmos管导通条件？

MOS管导通条件是Vgs电压至少达到阈值电压Vgs(th);其通过栅极电荷对Cgs电容充电实现;当MOS管完全导通后就不需要提供电流了;即压控的意思。

NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。

六、nmos管如何控制led亮度？

莫斯管接收单片机信号，通过控制输出电流大小，控制LED灯的亮度。电流大亮度高，电流小。亮度低

七、nmos管的三个极？

n沟道mos和npn三极管都是高电平导通，但mos管是电压型驱动，三极管是电流型驱动。

八、nmos管的饱和电流公式？

MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，

晶体管迁移率=晶体管实际迁移数量÷晶体管计划迁移数量

九、nmos管导通电阻是多少？

现在的小功率nmos管导通电阻一般在几十毫欧左右，几亳欧的也有。

十、nmos管中二极管的作用？

nmos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G,S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。

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