MOSFET全称？ mosfet芯片？

一、MOSFET全称？

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。[1]MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

二、mosfet芯片？

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

三、mosfet原理？

MOSFET原理是MOS，FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管。

四、mosfet公式？

在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于是会使用下面这个公式去计算峰值栅极电流.

I = C(dv/dt)

实际上,CEI的值比CISS高很多,必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算.

QG是MOSFET栅极电容的一部分,计算公式如下:

QG = QGS + QGD + QOD

其中:

QG--总的栅极电荷 140

QGS--栅极-源极电荷 28

QGD--栅极-漏极电荷(Miller)74

QOD--Miller电容充满后的过充电荷

可以看到,为了保证MOSFET导通,用来对CGS充电的VGS要比额定值高一些,而且CGS也要比VTH高.栅极电荷除以VGS等于CEI,栅极电荷除以导通时间等于所需的驱动电流(在规定的时间内导通).

用公式表示如下:

QG = (CEI)(VGS)

IG = QG/t导通 t导通=86+16=102ns QG=140nc 则IG = QG/t导通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)

五、mosfet电压等级？

MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般2.5Vdc导通的。

六、mosfet工作特点？

电力MOSFET又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET），结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管。

电力MOSFET特点

1、用栅极电压来控制漏极电流

2、驱动电路简单，需要的驱动功率小

3、开关速度快，工作频率高

4、热稳定性优于GTR

5、电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置

七、mosfet是什么？

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

八、mosfet倍频原理？

MOSFET器件的主要原理是能够控制源极端子和漏极端子之间的电压和电流。它几乎像一个开关一样工作，并且该设备的功能基于MOS电容器。MOS电容器是MOSFET的主要部分。

通过分别施加正或负栅极电压，可以将位于源极和漏极端子之间的下氧化层处的半导体表面从p型反转为n型。当我们对正栅极电压施加排斥力时，氧化层下方的空穴将与基板一起向下推动。

耗尽区由与受体原子相关的结合的负电荷构成。当到达电子时，会形成一个通道。正电压还将电子从n +源极和漏极区吸引到沟道中。现在，如果在漏极和源极之间施加电压，电流将在源极和漏极之间自由流动，而栅极电压将控制沟道中的电子。代替正电压，如果我们施加负电压，则将在氧化物层下方形成空穴通道。

九、mosfet漏极电压？

MOS的闯值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个Si表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为闯值电压，它是MOSFET的重要参数之一。

MOS管的國值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于闯值电压，就没有沟道。阚值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为闯值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阔值电压。

十、mosfet与igbt区别？

1 Mosfet和IGBT都是常用的功率半导体器件，但是它们的结构和工作原理有所不同。2 Mosfet是一种三端器件，主要由栅极、漏极和源极组成，通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流，具有高速开关、低驱动功率、低导通压降等优点，常用于高频开关电路。IGBT则是一种四层结构的双极型晶体管，由控制极、漏极和源极组成，通过控制控制极电压和漏极电流来控制源极和漏极之间的电流，具有高输入阻抗、低导通压降、高开关速度等优点，适用于中高功率的开关电路。3 在实际应用中，需要根据具体的情况选择合适的器件，如需要高频开关则选择Mosfet，需要中高功率开关则选择IGBT。

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