10a开关电源mos管选择？ 开关电源mos管损坏？

一、10a开关电源mos管选择？

1、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。 2、漏极连续工作电流ID，例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A，一般单电压电源选择2A/10W比较安全； 3、漏极-源极阻抗RDS，阻抗越小温升越低，漏极电流越大，一般7N60的阻抗为1Ω，10N60的阻抗为0.7Ω。 4、工作频率即开关时间TD，一般MOS管的开关时间70 nS（纳秒）左右。 这几个条件满足了，基本没问题。

二、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

三、mos管g极电阻选择？

MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小，但是因为寄生电容的存在，在MOS管打开或关闭的时候，因为要对电容进行充电，所有瞬间电流还是比较大的。特别是在开关电源中，MOS管频繁的开启和关闭，那么就要更要考虑这个带来的影响了。

MOS管的寄生电容有三个，Cgs，Cgd，Cds

一般在MOS管规格书中，一般会标下面三个参数：Ciss，Coss，Crss，他们与寄生电容的关系如下：

Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

四、MOS管驱动电阻的选择？

选择MOS管的驱动电阻应考虑以下因素：

1.根据MOS管的额定电流和工作电压选择合适的功率电阻；

2.根据MOS管的输入电容和驱动电路的频率选择合适的阻值以确保迅速充放电；

3.根据MOS管的开关速度和驱动要求选择低电阻值以降低功耗和热量；

4.确保电阻的功率额定值大于所需功率来避免过载。最好参考MOS管的数据手册和相关驱动电路设计指南进行选择。

五、MOS管做功放怎么选择？

MOS管是一种常用的功率放大器元件，其优点包括高效率、低失真、易于调节等。在选择MOS管做功放时，需要根据需求进行选择，考虑到使用的频率范围、功率、输入输出阻抗等参数，以及管子的可靠性和稳定性。

一般来说，需要根据使用场景，根据电路的设计要求得出所需的电流和功率，再根据管子数据手册上的参数，查找合适的型号。

在选型时还需要考虑管子的包装形式和散热方案，确保电路能够稳定运行。

六、mos管开关电源电路原理？

你好，MOS管开关电源电路是一种电路，它使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为开关器件。MOS管开关电源电路的工作原理如下：

1. 输入电压：输入电压被施加到开关电路的控制端，即MOSFET的栅极上。

2. MOSFET开关：当输入电压高于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被打开，导通电流从源极流向漏极。

3. 电荷储存：当MOSFET被打开时，电荷被储存在MOSFET的栅极和源极之间的电容中。

4. 关闭MOSFET：当输入电压低于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被关闭，电荷从栅极电容中流回源极，MOSFET不再导通，电路中的电流停止流动。

5. 输出电压：当MOSFET被关闭时，电路中的电荷会被释放，产生一个反向电压，用于驱动负载。

总之，MOS管开关电源电路通过使用MOSFET作为开关器件，将输入电压转换为输出电压。它具有高效率、高速度、低功耗等优点，广泛应用于电源、电动机控制等领域。

七、什么是LLC电源？

谐振电源，利用变压器漏感，变压器感量加一个谐振电容，广泛应用在LED电源 L变压器漏感, L变压器感量 C谐振电容

八、mos管泄放电阻的选择？

电阻在MOS管电路中的注意事项及参考选择方法

　　MOS管驱动电阻怎么选择，给定频率，MOS管的Qg和上升沿怎么计算用多大电阻

　　首先得知道输入电容大小和驱动电压大小，等效为电阻和电容串联电路，求出电容充电电压表达式，得出电阻和电容电压关系图

　　MOS管的开关时间要考虑的是Qg的，而不是有Ciss，Coss决定，看下面的Data.一个MOS可能有很大的

　　输入电容，但是并不代表其导通需要的电荷量Qg就大，

　　Ciss（输入电容）和Qg是有一定的关系，但是还要考虑MOS的跨导y.

　　MOSFET栅极驱动的优化设计

九、什么是llc电源？

谐振电源，利用变压器漏感，变压器感量加一个谐振电容，广泛应用在LED电源 L变压器漏感, L变压器感量 C谐振电容

十、MOS管可以直接用电源驱动嘛？

　　MOS管分为N沟道与P沟道两种，N沟道用于电源负极的控制，P沟道用于电源正极的控制，两者直接的控制信号电压也存在区别。对于NMOS来讲，当栅极与源极的电压超过一定电压阈值的之后就会导通，PMOS与之相反。

　　NMOS与PMOS还有一点比较大的区别，NMOS的导通内阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性对较低，所以在功率较大的控制场合，一般会选用NMOS，当然也要根据控制电路的逻辑关系进行选择。

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