一、mos管控制电机为什么总是导通?
MOS管控制电机总是导通的可能原因有以下几点:
1. MOS管选错了:用于控制大功率电机的MOS管需要选择适当的电流和电压等级,否则MOS管会因通断损耗过大而发热或损坏,导致无法完全关断。
2. 驱动电路故障:MOS管需要驱动电路为其提供足够的驱动电流才能完全导通或关断。如果驱动电路自身存在故障,无法提供足够驱动电流,将导致MOS管无法完全关断。
3. 控制信号异常:提供给驱动电路的控制信号如果一直处于高电平,将导致MOS管始终处于导通状态。这可能是由于微控制器或其他控制电路的故障所致。
4. 阈值电压设置过高:MOS管控制电机的电路中会有设置MOS管导通电压(阈值电压)的电位器或可变电阻,如果阈值电压设置过高,微弱的控制信号无法让MOS管关断,导致其常导通。
5. 负载过重:MOS管所控制的电机负载过重,会导致MOS管在关断控制信号来临时,由于管道内积聚的大电流依然使MOS管导通,无法快速关断。这通常发生在起动大功率电机的瞬间。
6. 导通时间过短:如果MOS管的导通时间过短,当MOS管刚一通电就马上关断,会由于电感性负载无法快速断开而继续导通一段时间,出现似乎常导通的现象。
二、mos管的导通时间?
mos管Cgs充满电就导通,mos管的使用频率越来越高,现在导通时间都是几十nS左右。
三、mos管导通后断电后还是导通?
mos管导通后,因栅极与源极之间有一定的结电容存在,只要栅源极电压存在,mOS还是导通状态,只要在漏源极间加上电压即可导通。所以MOS管在储存时应注意防止静电击穿损坏。
四、运放控制mos导通原理?
1. 运放控制MOS导通原理是存在的。2. 运放(Operational Amplifier,简称OP-AMP)是一种电子器件,通过控制MOS(金属氧化物半导体)导通来实现其功能。当输入信号超过运放的阈值电压时,MOS管会导通,从而使得输出信号发生变化。3. 运放控制MOS导通原理的可以包括运放的工作原理、MOS导通的条件和特性,以及运放在电路设计中的应用等方面的内容。
五、mos管gs能导通吗?
不能导通。mos管是通过电压控制源漏极的导通状态,栅极和源极之间不导通。
六、mos管导通和关断时间?
答:mos管导的开关频率不是固定。
理论上可以达到几十MHz或以上,原来的模拟示波器输入端就用MOS管,这样输入阻抗高,有500MHz的。
常见的开关电源中,其工作频率一般情况下不超百kHz,大部分是几十kHz,这主要是对周边器件要求高。MOS管在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。
七、n型mos管导通原理?
N型MOS管导通条件,场效应管导通与截止由栅源电压来操控,关于增强场效应管方面来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就OK了。可是,场效应管分为增强型和耗尽型,增强型的管子是必须需求加电压才干导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状况,加栅源电压是为了使其截止。
八、mos管导通后电压要求?
只要维持导通电压即可
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。
但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。
九、怎样测量MOS管的导通内阻?
导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。
这个方法是曾经做电机驱动时候的计算方式,但是,导通内阻跟Vgs有一定关系,也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大,毕竟MOS是电压驱动型器件。
另外手册上的Rds(on)基本上就是该元件典型的内阻,只要完全导通,误差不很大。
mos管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
十、MOS场效应管如何导通?
无论是P沟道还是N沟道,看电路图的箭头是指向哪里:如果箭头指向栅极,那给栅极高电平,其他的两极按照沟道的不同来接(P沟道的源极S接输入,漏极D导通输出,N沟道相反)就是导通,低电平就是截止;同理箭头从栅极指向其他,这是低电平导通,高电平截止。说白了给箭头方向相反的电流就是导通,方向相同就是截止。
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