mos管下拉电阻选多大？

一、mos管下拉电阻选多大？

I2C的上拉电阻可以是1.5K，2.2K，4.7K， 电阻的大小对时序有一定影响，对信号的上升时间和下降时间也有影响，一般接1.5K或2.2K而且上拉电阻过大，即引起输出阻抗的增大，当输出阻抗和负载的阻抗可以比拟 的时，则输出的高电平会分压而减少的一。

二、mos管电阻公式？

MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS)： t n 分为： T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通延迟时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW)： 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P（mW） 14.5 栅源电荷Q（nC） 29 三、热效应E(J)： 相关： 通态电阻RDS（ON）

通态漏极电流ID（ON） 原则 关断时间Tff 判断延迟时间Td(ff)+下降时间Tf Td(ff)(nS) 11 Tf(nS) 58 栅源电压U（V） 10 驱动信号频率F（KHz） 100

三、mos管等效电阻？

等效电阻几个连接起来的电阻所起的作用，可以用一个电阻来代替，这个电阻就是那些电阻的等效电阻。也就是说任何电回路中的电阻，不论有多少只，都可等效为一个电阻来代替。而不影响原回路两端的电压和回路中电流强度的变化。

这个等效电阻，是由多个电阻经过等效串并联公式，计算出等效电阻的大小值。

也可以说，将这一等效电阻代替原有的几个电阻后，对于整个电路的电压和电流量不会产生任何的影响，所以这个电阻就叫做回路中的等效电阻。

四、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

五、mos管静态电阻多大？

最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大栅极/源极电压VGSS为±30V

• 最大漏极持续电流（DC）Id为20.0A，最大总耗散功率Pt为50.0W

• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.16Ω

• 最高沟道温度Tch为150.0℃

• 总栅极电荷量典型值Qg为87.0 nC

• 采用STO-220封装, 尺寸大小为13.2mm（W）X10.2mm（H）X4.7mm（D）

六、mos管开关电源电路原理？

你好，MOS管开关电源电路是一种电路，它使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为开关器件。MOS管开关电源电路的工作原理如下：

1. 输入电压：输入电压被施加到开关电路的控制端，即MOSFET的栅极上。

2. MOSFET开关：当输入电压高于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被打开，导通电流从源极流向漏极。

3. 电荷储存：当MOSFET被打开时，电荷被储存在MOSFET的栅极和源极之间的电容中。

4. 关闭MOSFET：当输入电压低于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被关闭，电荷从栅极电容中流回源极，MOSFET不再导通，电路中的电流停止流动。

5. 输出电压：当MOSFET被关闭时，电路中的电荷会被释放，产生一个反向电压，用于驱动负载。

总之，MOS管开关电源电路通过使用MOSFET作为开关器件，将输入电压转换为输出电压。它具有高效率、高速度、低功耗等优点，广泛应用于电源、电动机控制等领域。

七、mos管栅极串联电阻作用？

MOS管栅极上串个小电阻的主要作用是: 改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度,以及防止寄生电容和电感形成的振荡, 减小输出电压尖峰,从而防止MOS管被烧坏。

简单的说MOS管的闸极有杂散电容有引线电感走线电感输入阻抗又高Q值大容易谐振,因此加个电阻或磁珠降低Q值让它不容易振荡。

八、mos管栅极电阻多大阻值？

几百兆

场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件

从mos器件的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论：

1) MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。

2) MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。

九、mos管的电阻有多大？

70到200欧姆

MOSFET内阻是指MOSFET在关断状态下的电阻值，一般来说，MOSFET的内阻值在70到200欧姆之间。如果MOSFET的内阻值超过200欧姆，可能会导致电路故障，因此需要检查MOSFET的内阻值。解决方法：1.首先，使用万用表测量MOSFET的内阻值，以确定是否超过200欧姆。2.如果内阻值超过200欧姆，则需要更换MOSFET，以确保电路的正常工作。3.如果内阻值低于200欧姆，则可以继续使用MOSFET，但应定期检查内阻值，以确保电路的正常工作。个人心得小贴士：MOSFET的内阻值对电路的正常工作至关重要，因此应定期检查MOSFET的内阻值，以确保电路的正常工作。

十、MOS管如何直接看电阻？

怎么测量mos管内阻

1：给mos管gs两端加上10V电压，导通mos管。

2：给mos管DS通过1A电流，可使用带限流的电源，把限流调到1a，电压调到0.1V。

3：用高精度万用表测量（六位半）测量MOS管DS端电压V。

MOS管的Ron=V/1A。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对MOS管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

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