5v40a200w开关电源维修实例？

一、5v40a200w开关电源维修实例？

打开电源金属外壳，在路测量保险丝完好，Q1、Q2未击穿，主电容C5略显鼓顶。

补焊LF1的引脚后，试加电，指示灯不亮，用数字表测量+5V输出端电压为0，又快速测量C5、C6两端分压正常。

正纳闷时，维修台灯闪了一下，电源主板发出过短暂的“嘶嘶”声。

断电后，测量Q1、已击穿，保险丝FUSE（4A）熔断。

将C5、C6换新，拆下Q1、Q2暂不更换，逐一检测与Q1、Q2相关的分压电阻均无问题。

试加电，测量C5、C6两端分压正常，R7（2.7K）、R9（2.7K）上压降均为1.3V，基集分压电路正常。

将Q1、Q2换新后恢复到电路中，但将其C极引脚悬空；试加电，测量Q1、Q2的基集电压均0.55V。

二、求助各位专家，高频电源MOSFET和IGBT电源有什么区别？

就目前来说

MOSFET 适用于 小功率的电源比较多， 开关频率较高，一般高于50kHz的场合。

IGBT 适用于 大功率的电源比较多。 开关频率较低，一般小于25kHz的场合.

三、mosfet谁发明的？

MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明，并于1960年6月首次推出。它是现代电子学的基本组成部分，也是历史上最常用的器件，自1960年代以来，MOSFET的缩小和小型化一直在推动电子半导体技术的快速发展，并实现了诸如存储芯片和微处理器之类的高密度IC。MOSFET被认为是电子行业的“主力军”。

四、igbt和mosfet的区别？

MOSFET和IGBT内部结构不同，

决定了其应用领域的不同。

1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。

2. IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ，射频领域的产品。

3. 就其应用，根据其特点：MOSFET应用于开关电源，镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域。IGBT集中应用于焊机、逆变器,变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域 。

五、mosfet的封装类型叫法？

跟三极管很类似，直插的有TO220，TO247，TO3等。贴片的有SOT23，TO252（DPAK），TO263（D2PAK）等。

六、mosfet和igbt的区别？

从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题；

从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右。

七、mosfet的静电防护等级？

根据国家军用标准《电子产品防静电放电控制大纲》的分级方法可将静电敏感器件分为3级。静电敏感度在0～1999 V的元器件为1级；静电敏感度在2 000～3 999 V的元器件为2级；静电敏感度在4000～15 999 V的元器件为3级；而静电敏感度超过3级的元器件、组件和设备被认为非静电敏感产品。根据SSD分级，可针对不同的SSD器件，采取不同的静电防护措施。

八、JFET和MOSFET的异同？

JFET和MOSFET都是晶体管的种类，不同之处在于其控制信号的方式和性能表现。JFET采用的控制方式是栅极电压，其输入电阻比MOSFET要高，因此其调节功率的速度相对较慢。同时，JFET的工作电压范围较窄，且容易受温度变化的影响。MOSFET采用的控制方式是栅极电荷，其输入电阻比JFET要低，因此其调节功率的速度相对较快。同时，MOSFET的工作电压范围较广，且在高温下的性能变化较小。总体来说，JFET适用于高频率与低噪声的电路应用，而MOSFET适用于功率器件、数字电路和模拟电路等方面的应用。

九、mosfet驱动芯片的选择？

mos主要参数考虑电流，以及耐压。比如24v电机，耐压60v以上。电流则取额定电流的 1.5-2.5倍，主要看堵转电流或使用场合来定。往高了取则不会错，最多增加点银子，呵呵。。

十、mosfet的温度特性体现为？

MOSFET）阈值电压：vth 该参数为负温度系数，即：随着温度升高，MOS管的开启电压会线性下降，而且非常明显

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