瞬态电压浪涌抑制器(瞬态电流抑制)

1. 瞬态电流抑制

压敏电阻器是一种具有瞬态电压抑制功能的元件，可以用来代替瞬态抑制二极管、齐纳二极管和电容器的组合压敏电阻器可以对IC及其它设备的电路进行保护，防止因静电放电、浪涌及其它瞬态电流（如雷击等）而造成对它们的损坏

2. 瞬态电流抑制电路图

TVS二极管有单、双向之分，如何区分呢？这个是有规律和方法的： 1）看型号：尽管品牌不同，其型号命名方式不一样，但还是有规律的。

以品牌东沃电子为例，尾缀字母A代表单向，CA代表双向，SM8S30A是单向TVS管，SM8S30CA是双向TVS管 2）看规格书：一般在第一页就有描述，双向为双向导通，单向为单向导通； 3）万用表测试：单向一边通，双向两边都有电压； 单向TVS管一般应用在直流保护中，双向TVS管应用在交流保护中，多路保护选用TVS瞬态抑制二极管阵列，大功率保护选用TVS管专用保护模块。具体选用什么型号的物料来防护，好需要根据电路的防护需求和参数来定。SM8S30A单向TVS二极管 SM8S30CA双向TVS二极管

3. 瞬态电流抑制原理

TVS是双向瞬态电压抑制保护二极管，当达到它的双向瞬态击穿电压时，它由截止转为导通状态，将高电压吸收并限制在一个低电压值上，起到保护电路作用，钳位电压是指当达到它的双向瞬态击穿电压时，它由截止转为导通状态，导通状态就是TVS器件上标称的电压，这个电压就是钳位电压。

TVS的击穿电压是在非常小的电流下测得的，而钳位电压对应的电流是很大的。

4. 瞬态电压抑制

TVS TVS 即瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor） 1、概述： TVS管是瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）的简称。

它的特点是：响应速度特别快（为ns级）；耐浪涌冲击能力较放电管和压敏电阻差，其10/1000μs波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。2、特性： TVS管有单向与双向之分，单向TVS管的特性与稳压二极管相似，双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联，其主要特性参数有： ①反向断态电压(截止电压)VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压(截止电压)VRWM表示TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。②击穿电压VBR：TVS管通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示TVS管导通的标志电压。③脉冲峰值电流IPP：TVS管允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流（8/20μs波的峰值电流约为其5倍左右），超过这个电流值就可能造成永久性损坏。在同一个系列中，击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小。④最大箝位电压VC：TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。⑤脉冲峰值功率Pm：脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP与最大箝位电压VC的乘积，即Pm=IPP*VC。⑥稳态功率P0：TVS管也可以作稳压二极管用，这时要使用稳态功率。⑦极间电容Cj：与压敏电阻一样，TVS管的极间电容Cj也较大，且单向的比双向的大，功率越大的电容也越大。瞬态抑制二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。TVS:广东南方电视台于2001年12月20日正式开播，是国内最年轻的省级电视传播机构。

5. 瞬态电流抑制器

tvs瞬态抑制二极管爆管的原因是瞬间电流过大，二极管过热造成的。

6. 抑制瞬态电流过大方法

电流瞬态谱自动化分析方法与系统，用于宽禁带半导体材料深能级缺陷的定量表征和分析。

背景技术：

宽禁带半导体材料包括sic、gan、金刚石等因其较大的禁带宽度和较高的击穿场强，是功率电力电子器件发展的优选材料，在轨道交通、汽车电子、航空航天、智能电网、新能源和武器装备领域具有重要的应用前景。半导体中缺陷的形成将影响器件的性能、稳定性和可靠性，因此研究缺陷的类型及能级分布对材料质量优化和器件制备至关重要。目前，对于宽禁带半导体材料，杂质和缺陷能级的检测主要采用深能级瞬态谱技术，即将该半导体材料制成p-n结，肖特基结或mos电容结构，在其空间电荷区上施加一个周期性的短暂电压脉冲，测量空间电荷区的势垒电容的瞬态变化。通过在不同温度条件下电容的变化，从而分析获得深能级中心的能级位置和浓度。但是对于宽禁带半导体材料，禁带宽度大于3ev，例如gan,sic、金刚石和氧化镓等新型半导体材料，特别是在高阻状态下或缺陷能级较深，电压脉冲无法产生足够数目的载流子，因此电容的变化极其微小，因此无法有效检测。另外，深能级瞬态谱技术也无法得到深能级缺陷的表观电离能和俘获截面等重要信息。

7. 瞬态电流抑制电路

S20K300是TDK-EPC的压敏电阻。

对应国内型号为20D471K。压敏电阻器是一种具有瞬态电压抑制功能的元件，可以对IC 及其它设备的电路进行保护，防止因静电放电、浪涌及其它瞬态电流（如雷击等）而造成对它们的损坏。

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