mos管驱动变压器如何选择？

一、mos管驱动变压器如何选择？

　　mos管变压器驱动搞定方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识。初次级不少于20T，使初次级信号很好的耦合。高频信号选择铁氧体带气隙的磁芯，避免饱和。

　　必须在源边电路加隔直电容，起到的作用是提供重新启动电压，如果没有该电容，变压器的磁化电压和占空比相关，变压器磁性可能饱和。

二、mos管驱动变压器绕制方法？

MOS管驱动器变压器的绕组越接近磁心表面漏感越小，绕组匝数越少，越容易作到这点；另外磁心的电感系数越高、磁导率越高，导磁能力越好，漏感越小。所以大多驱动变压器、网络变压器都用高导材料来做。

另外在一个变压器中分布电容和漏感是两个矛盾的参数，但是通过绕制方法可以折中处理。对于上升沿的时间和下降沿的时间，磁心材料尤其是绕制工艺是非常关键的。

三、MOS管应用？

MOS管汽车行业应用。

汽车应用过去的近20年里，汽车用功率MOSFET已经得到了长足发展。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的 瞬态高压现象，且其封装简单，主要采用TO220 和 TO247封装。

同时，电动车窗、燃油喷射、间歇式雨刷和巡航控制等应用已逐渐成为大多数汽车的标配，在设计中需要类似的功率器件。在这期间，随着电机、 螺线管和燃油喷射器日益普及，车用功率MOSFET也不断发展壮大。

四、电脑mos管坏了可以换随便mos管吗？

是不可以随便换的。 台式机主板，CPU有多相供电，供电电路中的MOS管是不可以用其它主板上CPU供电电路的MOS管任意代换。随便更换MOS管，容易烧MOS管。 一个上管，两个下管组成的供电电路，其中一个下管坏了，将其换成其它型号的，结果又烧了。上管坏了，将其更换成其它型号的，也容易再次烧坏。 同一相供电中的MOS管，型号应该一样，这样才能保证供电的稳定，所以一般是将上下管同时更换，都换成型号一样的MOS管。

五、mos2300是什么mos管？

mos2300是增强型N沟道mos管。

增强型N沟道mos管的S（source源极） 和 D（drain漏极）导通条件取决与Vgs，即栅极和源极间的电压压差。

只有当 Vgs > 2.5V ，也就是 Vg（G极电压） — Vs（S极电压） > 2.5V，D极和 S极之间导通。

例如：

       G极为3.3V， S极为0.1V， Vgs = 3.3 - 0.1 = 3.2V > 2.5V， 所以D极和 S极导通， D极电压 Vd = 0.1V

实际使用中，G极一般接电源正极VCC， S极一般接负极GND，由于mos管导通阻抗很小，为毫欧级，所以

S极 和 D极之间的压降很小。

六、mos管与变压器吸收电路是什么作用？

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。这是一种简单好用，接近理想的电压控制电流源电晶体

它具以下特点:开关速度快、高频率性能好，输入阻抗高、驱动功率小、热稳定

性优良、无二次击穿问题、全工作区宽、工作线性度高等等，其最重要的优点

就是能够减少体积大小与重量，提供给设计者一种高速度、高功率、高电压、

与高增益的元件。在各類中小功率开关电路中应用极为广泛。

MOS又分为兩种，一种为耗尽型（Depletion MOS），另一种为增强型

（Enhancement MOS）。这兩种型态的结构没有太大的差異，只是耗尽型MOS一

开始在Drain-Source的通道上就有载子，所以即使在VGS为零的情况下，耗尽型

MOS仍可以导通的。而增强型MOS则必须在其VGS大於某一特定值才能导通。

七、MOS管电流噪音？

应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。

试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。

八、mos管最高耐温？

mos管表面的安全温度应该为不超过70摄氏度。

MOS晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

九、mos管电阻公式？

MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS)： t n 分为： T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通延迟时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW)： 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P（mW） 14.5 栅源电荷Q（nC） 29 三、热效应E(J)： 相关： 通态电阻RDS（ON）

通态漏极电流ID（ON） 原则 关断时间Tff 判断延迟时间Td(ff)+下降时间Tf Td(ff)(nS) 11 Tf(nS) 58 栅源电压U（V） 10 驱动信号频率F（KHz） 100

十、mos管击穿原因？

MOS管被击穿的原因及解决方案如下：

第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。

第二、MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流（超过10mA）时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。

还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

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