恒流电路有很多，书本中介绍的就有镜像电流源，精密镜像电流源，比例电流源，微电流源等，这里不作介绍，之前也有文章介绍过恒流源，可以去我头条查阅文章《如何设计嵌入式系统电路板供电系统》。这里针对你给出到问题提供两个电路参考，具体实现方法有很多，看你怎么选了。
首先我们知道光耦内发光二极管正向导通时候的压降为1.2V,那么设计到这个恒流电路的其他部分的最大功耗为(32-1.2)*0.007=0.2156W左右。这个功耗在我们选型的时候，可以提供参考。所以上图给出的两个电路，对三极管的要求的耐压要求高于32V，功耗要求高于215.6mW，这里我们可以选用2N3904，封装为TO-92。
对于图一，是利用三极管导通的时候Vbe的电压差不多0.6V左右的一个原理来设计的。
对于图二，是直接的利用TL431稳压的功能来设计一个恒流源的，如果需要7mA，图中R5=2.5V/7mA=357Ω，这里可以选用27Ω和330Ω的电阻串联实现。具体电流计算公式图中都已给出。
这就是我对此问题的解答，更多其他相关文章，欢迎查阅我头条号文章栏目。有不对的地方欢迎大家指正交流。
输入端都“恒流”啦，输出端如何反馈信号啊？
恒流源的电路示例
上左图是用增强型n-MOSFET构成的一种基本恒流源电路。为了保证输出晶体管T2的栅-源电压稳定，其前面就应当设置一个恒压源。实际上，T1二极管在此的作用也就是为了给T2提供一个稳定的栅-源电压，即起着一个恒压源的作用。因此T1应该具有很小的交流电导和较高的跨导，以保证其具有较好的恒压性能。T2应该具有很大的输出交流电阻，为此就需要采用长沟道MOSFET，并且要减小沟道长度调制效应等不良影响。
上右图是用BJT构成的一种基本恒流源电路。其中T2是输出恒定电流的晶体管，晶体管T1就是一个给T2提供稳定基极电压的发射结二极管。当然，T1的电流放大系数越大、跨导越高，则其恒压性能也就越好。同时，为了输出电流恒定（即提高输出交流电阻），自然还需要尽量减小T2的基区宽度调变效应（即Early效应）。另外，如果采用两个基极相连接的p-n-p晶体管来构成恒流源的话，那么在IC芯片中这两个晶体管可以放置在同一个隔离区内，这将有利于减小芯片面积，但是为了获得较好的输出电流恒定的性能，即需要特别注意增大横向p-n-p晶体管的电流放大系数。